基于β‑Ga2O3/NSTO异质结可零功耗工作的日盲紫外光电探测器及其制备方法
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本发明公开了一种基于β‑Ga2O3/NSTO异质结可零功耗工作的日盲紫外光电探测器及其制备方法,具体是指采用磁控溅射在NSTO单晶衬底上生长高结晶度的β‑Ga2O3薄膜作为光敏层,再在其上溅射直径为3mm的半透明Au/Ti电极作为透光电极,并采用机械力分别压印直径约为0.2mm和2mm的In电极作为上电极和下电极,制备获得的β‑Ga2O3/NSTO异质结日盲紫外光电探测器。本发明首次采用商业化的NSTO单晶衬底与β‑Ga2O3薄膜形成异质结结构用于日盲紫外光的探测,该异质结器件可工作于0V偏压下,具有零功耗工作的特点。本发明中β‑Ga2O3薄膜的生长采用商业化的磁控溅射方法,制备过程简单,工艺可控性强,易操作,所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好等优势。该发明制备的零功耗β‑Ga2O3/NSTO异质结光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。
商品类型 专利 申请号 2016107820458 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 有权 IPC分类号 H01L31/109(2006.01)I
交易方式 技术转让 专利状态 已授权 授权号
高新技术领域分类 电子信息 信息有效期至 长久有效 授权日 2017-07-28
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