基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法
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本发明涉及一种紫外探测器,具体是指一种基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法。本发明是通过激光分子束外延技术在n型6H‑SiC衬底上沉积一层β‑Ga2O3薄膜,然后利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在n型6H‑SiC衬底和β‑Ga2O3薄膜上沉积一层Ti/Au薄膜作为电极使用。本发明的优点是:所制备的日盲型紫外探测器性能稳定,反应灵敏,暗电流小,具有好的潜在应用;另外,该制备方法具有工艺可控性强,操作简单,普适性好,且重复测试具有可恢复性等特点,具有很大的应用前景。
商品类型 专利 申请号 2016101570707 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 有权 IPC分类号 H01L31/109(2006.01)I
交易方式 技术转让 专利状态 已授权 授权号
高新技术领域分类 电子信息 信息有效期至 长久有效 授权日 2017-09-26
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