一种基于Sm2O3/n‑Si异质结构的紫外光电器件的制备方法
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本发明涉及一种紫外光电器件的制备方法,具体是指一种基于Sm2O3/n-Si异质结构的紫外光电器件的制备方法。本发明是通过射频磁控溅射技术在N型Si(100)衬底上沉积一层Sm2O3薄膜,然后利用掩膜版在衬底和薄膜上沉积一层约50纳米厚的金(Au)膜作为电极使用。紫外光电器件的光电性能测试结果显示该器件具有很好的光电响应。本发明的优点是:本发明制备的光电器件性能稳定,反应灵敏,暗电流小,具有好的潜在应用;另外,该制备工艺具有可控性强,操作简单,普适性好等特点,具有很大的应用前景。
商品类型 专利 申请号 2015102874315 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 有权 IPC分类号 H01L31/18(2006.01)I
交易方式 技术转让 专利状态 已授权 授权号
高新技术领域分类 电子信息 信息有效期至 长久有效 授权日 2017-03-22
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