本发明涉及一种紫外光电器件的制备方法，具体是指一种基于Sm2O3/n-Si异质结构的紫外光电器件的制备方法。本发明是通过射频磁控溅射技术在N型Si（100）衬底上沉积一层Sm2O3薄膜，然后利用掩膜版在衬底和薄膜上沉积一层约50纳米厚的金（Au）膜作为电极使用。紫外光电器件的光电性能测试结果显示该器件具有很好的光电响应。本发明的优点是：本发明制备的光电器件性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有好的潜在应用；另外，该制备工艺具有可控性强，操作简单，普适性好等特点，具有很大的应用前景。

本发明涉及一种紫外光电器件的制备方法，具体是指一种基于Sm2O3/n-Si异质结构的紫外光电器件的制备方法。本发明是通过射频磁控溅射技术在N型Si（100）衬底上沉积一层Sm2O3薄膜，然后利用掩膜版在衬底和薄膜上沉积一层约50纳米厚的金（Au）膜作为电极使用。紫外光电器件的光电性能测试结果显示该器件具有很好的光电响应。本发明的优点是：本发明制备的光电器件性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有好的潜在应用；另外，该制备工艺具有可控性强，操作简单，普适性好等特点，具有很大的应用前景。