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一种密致的In2O3导电薄膜的制备方法
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商品编号
202011402139574132
商品权属
代理
交易方式
技术转让
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面议

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张敏
电话 150xxxx0911
本发明公开一种密致四面体颗粒In2O3的导电薄膜及其制备方法,该材料是在抛光过的Ti板表面,通过磁控溅射技术制备出大面积的密致韧性,平整有序的In2O3导电薄膜;该薄膜材料具有良好的导电性能、光透过率与力学特性,可作为新型的导电薄膜或薄膜生物传感器等器件进行大批量生产。
本发明公开一种密致四面体颗粒In2O3的导电薄膜及其制备方法,该材料是在抛光过的Ti板表面,通过磁控溅射技术制备出大面积的密致韧性,平整有序的In2O3导电薄膜;该薄膜材料具有良好的导电性能、光透过率与力学特性,可作为新型的导电薄膜或薄膜生物传感器等器件进行大批量生产。
商品类型 专利 申请号 201510163327.5 IPC分类号
H01B1/08(2006.01)I
专利类型 发明 法律状态 有权 技术领域
电子信息
交易方式 技术转让 专利状态 已授权 专利权人
浙江理工大学
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