一种密致的In2O3导电薄膜的制备方法
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本发明公开一种密致四面体颗粒In2O3的导电薄膜及其制备方法,该材料是在抛光过的Ti板表面,通过磁控溅射技术制备出大面积的密致韧性,平整有序的In2O3导电薄膜;该薄膜材料具有良好的导电性能、光透过率与力学特性,可作为新型的导电薄膜或薄膜生物传感器等器件进行大批量生产。
商品类型 专利 申请号 2015101633275 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 有权 IPC分类号 H01B1/08(2006.01)I
交易方式 技术转让 专利状态 已授权 授权号
高新技术领域分类 电子信息 信息有效期至 长久有效 授权日 2017-01-11
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