纳米材料特有的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面/界面效应和宏观量子隧穿效应，以及半导体纳米粒子的库仑堵塞和量子隧穿效应、介电限域效应、Fano 效应、Kondo 效应等，使得半导体纳米材料表现出与宏观材料具有显著差异的热、磁、电、声、光等性能。金属铋是一种重要的半导体功能掺杂材料，尤其铋系氧化物半导体材料表现出明显优异的高介电性、铁电性、催化性、超导性等。氧化铋是制备氧化物半导体材料的重要原材料，纳米氧化铋粉体可以有效改善金属铋在功能材料中的分布，降低烧结温度，提供功能材料的性能。技术指标：南京理工大学金属纳米材料与技术联合实验室研发的具有独立知识产权的溶剂热合成纳米氧化铋单晶片方法，可合成单晶氧化铋纳米片，延( 345 )
晶面有生长优势，厚度约 40-70 nm，形貌单一、尺寸分布范围窄，带隙明显蓝
移至 2.92 eV。用于制备铋的氧化物半导体纳米材料，过程中无杂质的引入，且利于铋元素在半导体功能材料中的均匀分布，进而提高功能材料的性能。

纳米材料特有的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面/界面效应和宏观量子隧穿效应，以及半导体纳米粒子的库仑堵塞和量子隧穿效应、介电限域效应、Fano 效应、Kondo 效应等，使得半导体纳米材料表现出与宏观材料具有显著差异的热、磁、电、声、光等性能。金属铋是一种重要的半导体功能掺杂材料，尤其铋系氧化物半导体材料表现出明显优异的高介电性、铁电性、催化性、超导性等。氧化铋是制备氧化物半导体材料的重要原材料，纳米氧化铋粉体可以有效改善金属铋在功能材料中的分布，降低烧结温度，提供功能材料的性能。技术指标：南京理工大学金属纳米材料与技术联合实验室研发的具有独立知识产权的溶剂热合成纳米氧化铋单晶片方法，可合成单晶氧化铋纳米片，延( 345 )
晶面有生长优势，厚度约 40-70 nm，形貌单一、尺寸分布范围窄，带隙明显蓝
移至 2.92 eV。用于制备铋的氧化物半导体纳米材料，过程中无杂质的引入，且利于铋元素在半导体功能材料中的均匀分布，进而提高功能材料的性能。